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IGT60R190D1ATMA1
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGT60R190D1ATMA1
Código Farnell4220238
Rango de ProductoCoolGaN Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 5,750 € |
| 10+ | 5,120 € |
| 100+ | 4,530 € |
| 500+ | 3,870 € |
| 1000+ | 3,390 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGT60R190D1ATMA1
Código Farnell4220238
Rango de ProductoCoolGaN Series
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)600V
Corriente de Drenaje Continua Id12A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.14ohm
Carga de Puerta Típica3.2nC
Encapsulado del TransistorPG-HSOF-8-3
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de Pines8Pins
Gama de ProductoCoolGaN Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
600V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.14ohm
Encapsulado del Transistor
PG-HSOF-8-3
Número de Pines
8Pins
Calificación
-
Corriente de Drenaje Continua Id
12A
Carga de Puerta Típica
3.2nC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
CoolGaN Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00001