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IGOT65R045D2AUMA1
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGOT65R045D2AUMA1
Código Farnell4573842RL
También conocido comoIGOT65R045D2, SP005930895
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 10+ | 5,620 € |
| 50+ | 5,160 € |
| 100+ | 4,690 € |
| 250+ | 4,600 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 10
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGOT65R045D2AUMA1
Código Farnell4573842RL
También conocido comoIGOT65R045D2, SP005930895
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Corriente de Drenaje Continua Id34A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.054ohm
Carga de Puerta Típica6nC
Número de pines20Pins
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.054ohm
Número de pines
20Pins
Corriente de Drenaje Continua Id
34A
Carga de Puerta Típica
6nC
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Indonesia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Indonesia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto