Imprimir página
IGOT65R035D2AUMA1
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 650 V, 44 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, SOIC, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGOT65R035D2AUMA1
Código Farnell4573843
Rango de ProductoCoolGaN G5 Series
También conocido comoIGOT65R035D2, SP005825080
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
registre su interés
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 12,500 € |
| 5+ | 11,330 € |
| 10+ | 10,150 € |
| 50+ | 9,030 € |
| 100+ | 8,650 € |
| 250+ | 8,220 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
12,50 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGOT65R035D2AUMA1
Código Farnell4573843
Rango de ProductoCoolGaN G5 Series
También conocido comoIGOT65R035D2, SP005825080
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Corriente de Drenaje Continua Id44A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.042ohm
Carga de Puerta Típica7.7nC
Encapsulado del TransistorSOIC
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de Pines20Pins
Gama de ProductoCoolGaN G5 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.042ohm
Encapsulado del Transistor
SOIC
Número de Pines
20Pins
Calificación
-
Corriente de Drenaje Continua Id
44A
Carga de Puerta Típica
7.7nC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
CoolGaN G5 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Indonesia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Indonesia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001