Imprimir página
IGOT60R070D1AUMA3
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Montaje Superficial
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGOT60R070D1AUMA3
Código Farnell3775931RL
Rango de ProductoCoolGaN
También conocido comoSP005557207, IGOT60R070D1
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)600V
Corriente de Drenaje Continua Id31A
Resistencia en Conducción Rds(on) Máxima0.07ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.07ohm
Carga de Puerta Típica5.8nC
Encapsulado del TransistorSOIC
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de Pines20Pins
Gama de ProductoCoolGaN
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para IGOT60R070D1AUMA3
Se ha encontrado 1 producto
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
600V
Resistencia en Conducción Rds(on) Máxima
0.07ohm
Carga de Puerta Típica
5.8nC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
CoolGaN
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Corriente de Drenaje Continua Id
31A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.07ohm
Encapsulado del Transistor
SOIC
Número de Pines
20Pins
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Indonesia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Indonesia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.003591