Imprimir página
IGO60R070D1AUMA2
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Montaje Superficial
434 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
Disponible hasta que se agoten las existencias
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 10+ | 10,550 € |
| 50+ | 9,440 € |
| 100+ | 8,480 € |
| 250+ | 7,930 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 10
Múltiplo: 1
110,50 € (Excl. IVA)
Se añadirá un cargo de 5,00 € por los rollos a medida para este producto
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGO60R070D1AUMA2
Código Farnell3775930RL
Rango de ProductoCoolGaN
También conocido comoSP005557222, IGO60R070D1
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)600V
Corriente de Drenaje Continua Id31A
Resistencia en Conducción Rds(on) Máxima0.07ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.07ohm
Carga de Puerta Típica5.8nC
Encapsulado del TransistorSOIC
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de Pines20Pins
Gama de ProductoCoolGaN
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
600V
Resistencia en Conducción Rds(on) Máxima
0.07ohm
Carga de Puerta Típica
5.8nC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
CoolGaN
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Corriente de Drenaje Continua Id
31A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.07ohm
Encapsulado del Transistor
SOIC
Número de Pines
20Pins
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Indonesia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Indonesia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.003591