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IGLT65R055D2ATMA1
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HDSOP, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGLT65R055D2ATMA1
Código Farnell4573847RL
También conocido comoIGLT65R055D2, SP005865971
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 10+ | 6,720 € |
| 100+ | 5,380 € |
| 500+ | 4,830 € |
| 1000+ | 4,620 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 10
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGLT65R055D2ATMA1
Código Farnell4573847RL
También conocido comoIGLT65R055D2, SP005865971
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Corriente de Drenaje Continua Id31A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.066ohm
Carga de Puerta Típica4.7nC
Número de Pines16Pins
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.066ohm
Número de Pines
16Pins
Corriente de Drenaje Continua Id
31A
Carga de Puerta Típica
4.7nC
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto