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IGLR65R200D2XUMA1
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGLR65R200D2XUMA1
Código Farnell4573840RL
También conocido comoIGLR65R200D2, SP005918715
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 1,320 € |
| 500+ | 1,110 € |
| 1000+ | 0,943 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 100
Múltiplo: 1
137,00 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGLR65R200D2XUMA1
Código Farnell4573840RL
También conocido comoIGLR65R200D2, SP005918715
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Corriente de Drenaje Continua Id9.2A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.24ohm
Carga de Puerta Típica1.26nC
Número de Pines8Pins
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.24ohm
Número de Pines
8Pins
Corriente de Drenaje Continua Id
9.2A
Carga de Puerta Típica
1.26nC
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto