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IGLD65R055D2AUMA1
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGLD65R055D2AUMA1
Código Farnell4680830RL
También conocido comoIGLD65R055D2, SP005825087
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 5,960 € |
| 500+ | 5,370 € |
| 1000+ | 4,980 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGLD65R055D2AUMA1
Código Farnell4680830RL
También conocido comoIGLD65R055D2, SP005825087
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Corriente de Drenaje Continua Id20A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.07ohm
Carga de Puerta Típica4.7nC
Número de Pines8Pins
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.07ohm
Número de Pines
8Pins
Corriente de Drenaje Continua Id
20A
Carga de Puerta Típica
4.7nC
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto