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IGC033S101XTMA1
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 100 V, 76 A, 0.0033 ohm, 11 nC, VSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGC033S101XTMA1
Código Farnell4640390
Rango de ProductoCoolGaN G3 Series
También conocido comoIGC033S101, SP005751570
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 3,490 € |
| 10+ | 2,520 € |
| 100+ | 1,950 € |
| 500+ | 1,680 € |
| 1000+ | 1,550 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGC033S101XTMA1
Código Farnell4640390
Rango de ProductoCoolGaN G3 Series
También conocido comoIGC033S101, SP005751570
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id76A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0033ohm
Carga de Puerta Típica11nC
Encapsulado del TransistorVSON
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de Pines6Pins
Gama de ProductoCoolGaN G3 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
IGC033S101XTMA1 is a CoolGaN™ G3 100V, 2.4mohm normally-off e-mode power transistor, enabling high power density designs. It is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage and high-current applications. Suitable for telecom & datacentre 48V IBC, sync rectification for AC‑DC and DC‑DC converters, robotics and drones, battery powered tools, 48V servo drive, e‑Mobility, UAVs, Class D audio, solar & energy storage systems, point of load converters applications.
- High switching frequency
- No reverse recovery charge
- Reverse conduction capability
- Low gate charge, low output charge and qualified according to JEDEC
- Best-in-class power density, highest efficiency, excellent reliability, lowering BOM cost
- Improved thermal management
- Enabling smaller and lighter designs
- 120V max pulsed drain‑source voltage at VGS=0V, 1h total time
- 76A max continuous drain current at Vgs=5V, T =25°C
- 6 pin VSON package, junction temperature range from ‑40 to 150°C
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0033ohm
Encapsulado del Transistor
VSON
Número de Pines
6Pins
Calificación
-
Corriente de Drenaje Continua Id
76A
Carga de Puerta Típica
11nC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
CoolGaN G3 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00001
Trazabilidad del producto