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IGC019S06S1XTMA1
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 60 V, 99 A, 0.0019 ohm, 13 nC, TSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGC019S06S1XTMA1
Código Farnell4680815RL
También conocido comoIGC019S06S1, SP006027441
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 2,430 € |
| 500+ | 2,040 € |
| 1000+ | 1,740 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGC019S06S1XTMA1
Código Farnell4680815RL
También conocido comoIGC019S06S1, SP006027441
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id99A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0019ohm
Carga de Puerta Típica13nC
Número de Pines6Pins
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0019ohm
Número de Pines
6Pins
Corriente de Drenaje Continua Id
99A
Carga de Puerta Típica
13nC
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00001