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IGB110S101XTMA1
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGB110S101XTMA1
Código Farnell4667115RL
También conocido comoIGB110S101, SP005751574
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 1,010 € |
| 500+ | 0,847 € |
| 1000+ | 0,723 € |
| 5000+ | 0,661 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIGB110S101XTMA1
Código Farnell4667115RL
También conocido comoIGB110S101, SP005751574
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id23A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.011ohm
Carga de Puerta Típica3.4nC
Número de Pines4Pins
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.011ohm
Número de Pines
4Pins
Corriente de Drenaje Continua Id
23A
Carga de Puerta Típica
3.4nC
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001