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IDW30G65C5XKSA1
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ, Único, 650 V, 30 A, 42 nC, TO-247
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 9,840 € |
| 5+ | 9,780 € |
| 10+ | 9,720 € |
| 50+ | 5,850 € |
| 100+ | 5,010 € |
| 250+ | 5,000 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIDW30G65C5XKSA1
Código Farnell3155017
Rango de ProductothinQ
También conocido comoIDW30G65C5, SP001632892
Hoja de datos técnicos
Gama de ProductothinQ
Configuración de DiodoÚnico
Cresta de Tensión Inversa Recurrente650V
Corriente Directa Promedio30A
Carga Capacitiva Total42nC
Encapsulado del DiodoTO-247
Núm. de Pines3 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de DiodoAgujero Pasante
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Gama de Producto
thinQ
Cresta de Tensión Inversa Recurrente
650V
Carga Capacitiva Total
42nC
Núm. de Pines
3 Pines
Montaje de Diodo
Agujero Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuración de Diodo
Único
Corriente Directa Promedio
30A
Encapsulado del Diodo
TO-247
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00542
Trazabilidad del producto