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IDW10G120C5BFKSA1
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ, Cátodo Común Doble, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 6,360 € |
| 10+ | 4,840 € |
| 100+ | 3,310 € |
| 500+ | 2,860 € |
| 1000+ | 2,800 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIDW10G120C5BFKSA1
Código Farnell2709911
Rango de ProductothinQ
También conocido comoIDW10G120C5B, SP001071786
Hoja de datos técnicos
Gama de ProductothinQ
Configuración de DiodoCátodo Común Doble
Cresta de Tensión Inversa Recurrente1.2kV
Corriente Directa Promedio34A
Carga Capacitiva Total57nC
Encapsulado del DiodoTO-247
Núm. de Pines3 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de DiodoAgujero Pasante
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Gama de Producto
thinQ
Cresta de Tensión Inversa Recurrente
1.2kV
Carga Capacitiva Total
57nC
Núm. de Pines
3 Pines
Montaje de Diodo
Agujero Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuración de Diodo
Cátodo Común Doble
Corriente Directa Promedio
34A
Encapsulado del Diodo
TO-247
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002268
Trazabilidad del producto