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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIDM08G120C5XTMA1
Código Farnell2780806RL
Rango de ProductothinQ 5G 1200V
También conocido comoIDM08G120C5, SP001162122
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
100+ | 1,730 € |
500+ | 1,550 € |
1000+ | 1,440 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 100
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIDM08G120C5XTMA1
Código Farnell2780806RL
Rango de ProductothinQ 5G 1200V
También conocido comoIDM08G120C5, SP001162122
Hoja de datos técnicos
Gama de ProductothinQ 5G 1200V
Configuración de DiodoÚnico
Tensión inversa repetitiva máx.1.2kV
Corriente Directa Promedio27A
Carga Capacitiva Total28nC
Encapsulado del DiodoTO-252 (DPAK)
Número de pines2 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de DiodoMontaje en superficie
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Gama de Producto
thinQ 5G 1200V
Tensión inversa repetitiva máx.
1.2kV
Carga Capacitiva Total
28nC
Número de pines
2 Pines
Montaje de Diodo
Montaje en superficie
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuración de Diodo
Único
Corriente Directa Promedio
27A
Encapsulado del Diodo
TO-252 (DPAK)
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000426
Trazabilidad del producto