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IDM02G120C5XTMA1
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ, Único, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,060 € |
| 10+ | 1,430 € |
| 100+ | 1,080 € |
| 500+ | 0,893 € |
| 1000+ | 0,780 € |
| 5000+ | 0,719 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIDM02G120C5XTMA1
Código Farnell2709894
Rango de ProductothinQ
También conocido comoIDM02G120C5, SP001127112
Hoja de datos técnicos
Gama de ProductothinQ
Configuración de DiodoÚnico
Cresta de Tensión Inversa Recurrente1.2kV
Corriente Directa Promedio14A
Carga Capacitiva Total14nC
Encapsulado del DiodoTO-252 (DPAK)
Núm. de Pines2 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de DiodoMontaje en superficie
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Gama de Producto
thinQ
Cresta de Tensión Inversa Recurrente
1.2kV
Carga Capacitiva Total
14nC
Núm. de Pines
2 Pines
Montaje de Diodo
Montaje en superficie
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuración de Diodo
Único
Corriente Directa Promedio
14A
Encapsulado del Diodo
TO-252 (DPAK)
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000454
Trazabilidad del producto