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IDD03SG60CXTMA2
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ, Único, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,886 € |
| 500+ | 0,733 € |
| 1000+ | 0,682 € |
| 5000+ | 0,647 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIDD03SG60CXTMA2
Código Farnell3234262RL
Rango de ProductothinQ
También conocido comoIDD03SG60C, SP001632894
Hoja de datos técnicos
Gama de ProductothinQ
Configuración de DiodoÚnico
Cresta de Tensión Inversa Recurrente600V
Corriente Directa Promedio3A
Carga Capacitiva Total3.2nC
Encapsulado del DiodoTO-252 (DPAK)
Núm. de Pines3 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de DiodoMontaje en superficie
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Gama de Producto
thinQ
Cresta de Tensión Inversa Recurrente
600V
Carga Capacitiva Total
3.2nC
Núm. de Pines
3 Pines
Montaje de Diodo
Montaje en superficie
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuración de Diodo
Único
Corriente Directa Promedio
3A
Encapsulado del Diodo
TO-252 (DPAK)
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0003
Trazabilidad del producto