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GS61008TMRXUSA1
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteGS61008TMRXUSA1
Código Farnell4715934
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 7,730 € |
| 5+ | 7,300 € |
| 10+ | 6,860 € |
| 50+ | 6,620 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
7,73 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteGS61008TMRXUSA1
Código Farnell4715934
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id90A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0095ohm
Carga de Puerta Típica8nC
Encapsulado del TransistorGaNPX
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de Pines4Pins
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0095ohm
Encapsulado del Transistor
GaNPX
Número de Pines
4Pins
Calificación
-
Corriente de Drenaje Continua Id
90A
Carga de Puerta Típica
8nC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001