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GS61004BMRXUSA1
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 100 V, 38 A, 0.022 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteGS61004BMRXUSA1
Código Farnell4715930
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 4,760 € |
| 10+ | 3,180 € |
| 100+ | 2,280 € |
| 500+ | 2,160 € |
| 1000+ | 2,040 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
4,76 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteGS61004BMRXUSA1
Código Farnell4715930
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id38A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.022ohm
Carga de Puerta Típica3.3nC
Encapsulado del TransistorGaNPX
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de pines3Pins
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.022ohm
Encapsulado del Transistor
GaNPX
Número de pines
3Pins
Calificación
-
Corriente de Drenaje Continua Id
38A
Carga de Puerta Típica
3.3nC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto