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FZ2000R33HE4BOSA1
Módulo IGBT, Interruptor Simple, 2 kA, 2.45 V, 150 °C, Módulo
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteFZ2000R33HE4BOSA1
Código Farnell3324632
Rango de ProductoIHM-B Series
También conocido comoFZ2000R33HE4, SP003062218
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2.235,000 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteFZ2000R33HE4BOSA1
Código Farnell3324632
Rango de ProductoIHM-B Series
También conocido comoFZ2000R33HE4, SP003062218
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTInterruptor Simple
Corriente de Colector Continua2kA
Corriente de Colector DC2kA
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2.2V
Tensión de Saturación de Colector-Emisor2.45V
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd-
Temperatura de Unión Tj Máx.150°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Encapsulado del TransistorMódulo
Terminación IGBTPestaña
Tensión Colector-Emisor Máx3.3kV
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo3.3kV
Tecnología IGBTIGBT 4 [Zanja/Limitador de Campo]
Montaje de TransistorPanel
Gama de ProductoIHM-B Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
FZ2000R33HE4BOSA1 is a IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode. Potential applications includes motor drives, traction drives, UPS systems, medium-voltage converters, high-power converters, active frontend (energy recovery). Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068.
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- High power density, isolated base plate
- High DC stability, high short-circuit capability
- Low switching losses, unbeatable robustness
- Stray inductance module is 6nH (typ)
- Module lead resistance, terminals - chip is 0.08mohm (TC = 25 °C, per switch)
- Collector-emitter voltage is 3300V (Tvj = -40°C)
- Repetitive peak collector current is 4000A (tp limited by Tvj op)
- Gate threshold voltage is 5.80V (typ, IC = 94mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C)
- Temperature under switching conditions range from -40 to 150°C
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Interruptor Simple
Corriente de Colector DC
2kA
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
2.45V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Terminación IGBT
Pestaña
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
3.3kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Corriente de Colector Continua
2kA
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2.2V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Unión Tj Máx.
150°C
Encapsulado del Transistor
Módulo
Tensión Colector-Emisor Máx
3.3kV
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Zanja/Limitador de Campo]
Gama de Producto
IHM-B Series
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:3A228.c
EU ECCN:3A228.c
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):1.151
Trazabilidad del producto