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FS50R12W2T4B11BOMA1
Módulo IGBT, Paquete Séxtuple [Puente Completo], 50 A, 1.85 V, 335 W, 150 °C, Module
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteFS50R12W2T4B11BOMA1
Código Farnell1833612
Rango de ProductoCompute Module 3+ Series
También conocido comoFS50R12W2T4_B11, SP000546148
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 12 semanas
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 54,500 € |
| 5+ | 50,960 € |
| 10+ | 47,410 € |
| 50+ | 45,570 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
54,50 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteFS50R12W2T4B11BOMA1
Código Farnell1833612
Rango de ProductoCompute Module 3+ Series
También conocido comoFS50R12W2T4_B11, SP000546148
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N
Configuración IGBTPaquete Séxtuple [Puente Completo]
Corriente de Colector Continua50A
Corriente de Colector DC50A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.85V
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.85V
Disipación de Potencia335W
Disipación de Potencia Pd335W
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Temperatura de Unión Tj Máx.150°C
Encapsulado del TransistorModule
Número de pines18Pins
Terminación IGBTEncaje a Presión
Tecnología IGBTIGBT 4
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Gama de ProductoCompute Module 3+ Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (08-Jul-2021)
Resumen del producto
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Colector Continua
50A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.85V
Disipación de Potencia
335W
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
1.2kV
Temperatura de Unión Tj Máx.
150°C
Número de pines
18Pins
Tecnología IGBT
IGBT 4
Gama de Producto
Compute Module 3+ Series
Configuración IGBT
Paquete Séxtuple [Puente Completo]
Corriente de Colector DC
50A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.85V
Disipación de Potencia Pd
335W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Encapsulado del Transistor
Module
Terminación IGBT
Encaje a Presión
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (08-Jul-2021)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (08-Jul-2021)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.039
Trazabilidad del producto