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FP50R12KE3BOSA1
Matriz IGBT y Módulo Transistor, Canal N, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Módulo
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteFP50R12KE3BOSA1
Código Farnell2726169
Rango de ProductoEconoPIM 3
También conocido comoFP50R12KE3, SP000101740
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 94,820 € |
| 5+ | 94,270 € |
| 10+ | 93,710 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteFP50R12KE3BOSA1
Código Farnell2726169
Rango de ProductoEconoPIM 3
También conocido comoFP50R12KE3, SP000101740
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTRectificador deE Entrada Trifásica PIM
Polaridad de TransistorCanal N
Corriente de Colector DC75A
Corriente de Colector Continua75A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.7V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.7V
Disipación de Potencia280W
Disipación de Potencia Pd280W
Temperatura de Unión Tj Máx.125°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.125°C
Encapsulado del TransistorMódulo
Terminación IGBTEncaje a Presión
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 3 [Zanja/Limitador de Campo]
Montaje de TransistorPanel
Gama de ProductoEconoPIM 3
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
1200V, 50A PIM three phase input rectifier IGBT module with low sat & fast TRENCHSTOP™ IGBT3 and NTC.
- Low stray inductance module design
- High reliability and power density
- Copper base plate for optimized heat spread
- Solderable pins
- Low switching losses
- High switching frequency
- Compact module concept
- Optimized customer’s development cycle time and cost
- Configuration flexibility
- Fast, reliable and low cost mounting concept
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Rectificador deE Entrada Trifásica PIM
Corriente de Colector DC
75A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.7V
Disipación de Potencia
280W
Temperatura de Unión Tj Máx.
125°C
Encapsulado del Transistor
Módulo
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Tecnología IGBT
IGBT 3 [Zanja/Limitador de Campo]
Gama de Producto
EconoPIM 3
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Colector Continua
75A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.7V
Disipación de Potencia Pd
280W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
125°C
Terminación IGBT
Encaje a Presión
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Hungary
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Hungary
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000306
Trazabilidad del producto