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FP15R12W1T4B11BOMA1
Módulo IGBT, Rectificador deE Entrada Trifásica PIM, 28 A, 1.85 V, 130 W, 150 °C, Módulo
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteFP15R12W1T4B11BOMA1
Código Farnell2781241
Rango de ProductoEasyPIM 1B
También conocido comoFP15R12W1T4_B11, SP000707712
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 35,570 € |
| 5+ | 34,180 € |
| 10+ | 32,790 € |
| 50+ | 24,580 € |
| 100+ | 24,090 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteFP15R12W1T4B11BOMA1
Código Farnell2781241
Rango de ProductoEasyPIM 1B
También conocido comoFP15R12W1T4_B11, SP000707712
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTRectificador deE Entrada Trifásica PIM
Polaridad de TransistorCanal N
Corriente de Colector DC28A
Corriente de Colector Continua28A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.85V
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.85V
Disipación de Potencia Pd130W
Disipación de Potencia130W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Temperatura de Unión Tj Máx.150°C
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo1.2kV
Encapsulado del TransistorMódulo
Terminación IGBTEncaje a Presión
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 4 [Zanja/Limitador de Campo]
Montaje de TransistorPanel
Gama de ProductoEasyPIM 1B
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Rectificador deE Entrada Trifásica PIM
Corriente de Colector DC
28A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.85V
Disipación de Potencia Pd
130W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
1.2kV
Terminación IGBT
Encaje a Presión
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Zanja/Limitador de Campo]
Gama de Producto
EasyPIM 1B
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Colector Continua
28A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.85V
Disipación de Potencia
130W
Temperatura de Unión Tj Máx.
150°C
Encapsulado del Transistor
Módulo
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.025
Trazabilidad del producto