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FF600R12KE4BOSA1
Módulo IGBT, Zanja/Límite de Campo, Doble [Medio Puente], 600 A, 1.75 V, 150 °C, Módulo
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 194,530 € |
| 5+ | 180,170 € |
| 10+ | 165,800 € |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteFF600R12KE4BOSA1
Código Farnell2803384
Rango de Producto62mm C
También conocido comoFF600R12KE4, SP001500368
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDoble [Medio Puente]
Polaridad de TransistorCanal N
Corriente de Colector DC600A
Corriente de Colector Continua600A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.75V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.75V
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Temperatura de Unión Tj Máx.150°C
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo1.2kV
Encapsulado del TransistorMódulo
Terminación IGBTPestaña
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 4 [Zanja/Limitador de Campo]
Montaje de TransistorPanel
Gama de Producto62mm C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT 4 and emitter controlled 4 diode suitable for use in high power converters, motor drives, UPS systems and wind turbines.
- Extended operating temperature Tvjop
- Low switching losses
- Low VCEsat
- Unbeatable robustness
- VCEsat with positive temperature coefficient
- 4KV AC1 min insulation
- Package with CTI <gt/> 400
- High Creepage and clearance distances
- High power density
- Isolated base plate
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Doble [Medio Puente]
Corriente de Colector DC
600A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.75V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
1.2kV
Terminación IGBT
Pestaña
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Zanja/Limitador de Campo]
Gama de Producto
62mm C
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Colector Continua
600A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.75V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Unión Tj Máx.
150°C
Encapsulado del Transistor
Módulo
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Productos asociados
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Hungary
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Hungary
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000308
Trazabilidad del producto