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FF450R12KE4EHOSA1
Módulo IGBT, Doble, Emisor Común, 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Módulo
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteFF450R12KE4EHOSA1
Código Farnell2781230
Rango de ProductoStandard 62mm C
También conocido comoFF450R12KE4_E, SP001186148
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 131,210 € |
| 5+ | 123,190 € |
| 10+ | 115,160 € |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteFF450R12KE4EHOSA1
Código Farnell2781230
Rango de ProductoStandard 62mm C
También conocido comoFF450R12KE4_E, SP001186148
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDoble, Emisor Común
Polaridad de TransistorCanal N
Corriente de Colector DC520A
Corriente de Colector Continua520A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.75V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.75V
Disipación de Potencia Pd2.4kW
Disipación de Potencia2.4kW
Temperatura de Unión Tj Máx.150°C
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Encapsulado del TransistorMódulo
Terminación IGBTPestaña
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 4 [Zanja/Limitador de Campo]
Montaje de TransistorPanel
Gama de ProductoStandard 62mm C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled HE diode suitable for use in high frequency switching application, high power converters, solar applications and UPS systems.
- Increased DC link voltage
- Trench IGBT 4
- 4KV AC1 min insulation
- Package with CTI <gt/> 400
- High Creepage and clearance distances
- Isolated base plate
- Copper base plate
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Doble, Emisor Común
Corriente de Colector DC
520A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.75V
Disipación de Potencia Pd
2.4kW
Temperatura de Unión Tj Máx.
150°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Terminación IGBT
Pestaña
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Zanja/Limitador de Campo]
Gama de Producto
Standard 62mm C
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Colector Continua
520A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.75V
Disipación de Potencia
2.4kW
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
1.2kV
Encapsulado del Transistor
Módulo
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Hungary
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Hungary
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.015
Trazabilidad del producto