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FF2600UXTR33T2M1BPSA1
MOSFET de Carburo de Silicio, Medio Puente, Canal N Doble, 720 A, 3.3 kV, 0.0031 ohm, Módulo
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteFF2600UXTR33T2M1BPSA1
Código Farnell4574879
Rango de ProductoXHP 2 Series
También conocido comoFF2600UXTR33T2M1, SP005404848
Hoja de datos técnicos
2 Productos en Stock
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteFF2600UXTR33T2M1BPSA1
Código Farnell4574879
Rango de ProductoXHP 2 Series
También conocido comoFF2600UXTR33T2M1, SP005404848
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETMedio Puente
Tipo de CanalCanal N Doble
Corriente de Drenaje Continua Id720A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)3.3kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0031ohm
Encapsulado del TransistorMódulo
Número de Pines15Pins
Tensión de Prueba Rds(on)15V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5.55V
Disipación de Potencia20mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoXHP 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
FF2600UXTR33T2M1BPSA1 is a 3.3KV, XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET half bridge module. Suitable for traction drives, high-power converters, high-frequency switching application applications.
- Electrical features: VDSS = 3300V, IDN = 750A / IDRM = 1500A, Tvj,op = 175°C
- Low switching losses, high current density, low inductive design
- Mechanical features: high power density, high creepage and clearance distances
- Package with CTI > 600, Rds(on) Test Voltage 15V
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- AlN substrate with low thermal resistance
- 3.1mohm drain-source on-resistance at ID = 750A, VGS = 15V, Tvj = 25°C
- 720A Continuous DC drain current at Tvj = 175°C, VGS = 15V, TC = 25°C
- 5.55V gate threshold voltage at ID = 675mA, VDS = VGS, Tvj = 25°C, (after 1ms pulse at VGS = +20V)
- 20mW max power dissipation at TNTC = 25°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Medio Puente
Corriente de Drenaje Continua Id
720A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0031ohm
Número de Pines
15Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5.55V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N Doble
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
3.3kV
Encapsulado del Transistor
Módulo
Tensión de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
20mW
Gama de Producto
XHP 2 Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:3A228.c
EU ECCN:3A228.c
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto