Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteF3L25R12W1T4B27BOMA1
Código Farnell3514413
También conocido comoF3L25R12W1T4_B27, SP001056108
Hoja de datos técnicos
30 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 34,360 € |
5+ | 33,290 € |
10+ | 32,210 € |
50+ | 23,220 € |
100+ | 22,760 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
34,36 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteF3L25R12W1T4B27BOMA1
Código Farnell3514413
También conocido comoF3L25R12W1T4_B27, SP001056108
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTInversor de Tres Niveles
Polaridad de TransistorCanal N Cuádruple
Corriente de Colector DC45A
Corriente de Colector Continua45A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.85V
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.85V
Disipación de Potencia215W
Disipación de Potencia Pd215W
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Unión Tj Máx.150°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Encapsulado del TransistorMódulo
Número de Pines19Pins
Terminación IGBTPerno
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 4 [Zanja/Limitador de Campo]
Montaje de TransistorPanel
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Inversor de Tres Niveles
Corriente de Colector DC
45A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.85V
Disipación de Potencia
215W
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
1.2kV
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Número de Pines
19Pins
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Polaridad de Transistor
Canal N Cuádruple
Corriente de Colector Continua
45A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.85V
Disipación de Potencia Pd
215W
Temperatura de Unión Tj Máx.
150°C
Encapsulado del Transistor
Módulo
Terminación IGBT
Perno
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Zanja/Limitador de Campo]
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.4
Trazabilidad del producto