Imprimir página
F1225R12KT4GBOSA1
Módulo IGBT, Paquete Dobe, 25 A, 1.85 V, 160 W, 175 °C, Módulo
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteF1225R12KT4GBOSA1
Código Farnell3227665
Rango de ProductoEconoPACK3
También conocido comoF12-25R12KT4G, SP000415314
Hoja de datos técnicos
10 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 76,870 € |
| 5+ | 69,880 € |
| 10+ | 62,890 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
76,87 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteF1225R12KT4GBOSA1
Código Farnell3227665
Rango de ProductoEconoPACK3
También conocido comoF12-25R12KT4G, SP000415314
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTPaquete Dobe
Corriente de Colector Continua25A
Corriente de Colector DC25A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.85V
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.85V
Disipación de Potencia160W
Disipación de Potencia Pd160W
Temperatura de Unión Tj Máx.175°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Encapsulado del TransistorMódulo
Terminación IGBTEncaje a Presión
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo1.2kV
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 4 [Zanja/Limitador de Campo]
Montaje de TransistorPanel
Gama de ProductoEconoPACK3
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Paquete Dobe
Corriente de Colector DC
25A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.85V
Disipación de Potencia Pd
160W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Terminación IGBT
Encaje a Presión
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Corriente de Colector Continua
25A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.85V
Disipación de Potencia
160W
Temperatura de Unión Tj Máx.
175°C
Encapsulado del Transistor
Módulo
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
1.2kV
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Zanja/Limitador de Campo]
Gama de Producto
EconoPACK3
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Hungary
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Hungary
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00016
Trazabilidad del producto