Imprimir página
BSM25GD120DN2BOSA1
Módulo IGBT, Puente Completo Trifásico, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSM25GD120DN2BOSA1
Código Farnell1496948
Rango de ProductoCompute Module 3+ Series
También conocido comoBSM25GD120DN2, SP000100370
Hoja de datos técnicos
Fuera de producción
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSM25GD120DN2BOSA1
Código Farnell1496948
Rango de ProductoCompute Module 3+ Series
También conocido comoBSM25GD120DN2, SP000100370
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N
Configuración IGBTPuente Completo Trifásico
Corriente de Colector Continua35A
Corriente de Colector DC35A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)3V
Tensión de Saturación de Colector-Emisor3V
Disipación de Potencia200W
Disipación de Potencia Pd200W
Temperatura de Funcionamiento Máx.125°C
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Unión Tj Máx.125°C
Encapsulado del TransistorEconoPACK
Terminación IGBTPerno
Número de pines17Pins
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Tecnología IGBT-
Montaje de TransistorPanel
Gama de ProductoCompute Module 3+ Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
El BSM25GD120DN2 es un módulo de potencia IGBT con diodos de rueda libre rápidos y placa base metálica aislada.
- Puente completo trifásico
- Tiempo de subida de 130ns
- Tiempo de caída de 100ns
- Tensión puerta-emisor de ±20V
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Colector Continua
35A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
3V
Disipación de Potencia
200W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
125°C
Temperatura de Unión Tj Máx.
125°C
Terminación IGBT
Perno
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Configuración IGBT
Puente Completo Trifásico
Corriente de Colector DC
35A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
3V
Disipación de Potencia Pd
200W
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
1.2kV
Encapsulado del Transistor
EconoPACK
Número de pines
17Pins
Tecnología IGBT
-
Gama de Producto
Compute Module 3+ Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.18
Trazabilidad del producto