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BSD235NH6327XTSA1
MOSFET Doble, Canal N, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSD235NH6327XTSA1
Código Farnell2443477RL
Rango de ProductoOptiMOS 2 Series
También conocido comoBSD235N H6327, SP000917652
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 250+ | 0,0801 € |
| 1000+ | 0,0753 € |
| 5000+ | 0,0667 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSD235NH6327XTSA1
Código Farnell2443477RL
Rango de ProductoOptiMOS 2 Series
También conocido comoBSD235N H6327, SP000917652
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N20V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N950mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P950mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.266ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.266ohm
Encapsulado del TransistorSOT-363
Número de pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N500mW
Disipación de Potencia Canal P500mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoOptiMOS 2 Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- OptiMOS™ 2 small-signal-transistor
- Dual N-channel
- Enhancement mode
- Super logic level (2.5V rated)
- Avalanche rated
- Qualified according to AEC Q101
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
950mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.266ohm
Número de pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
500mW
Gama de Producto
OptiMOS 2 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
950mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.266ohm
Encapsulado del Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia Canal N
500mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000005
Trazabilidad del producto