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BGB707L7ESDE6327XTSA1
Amplificador, 27 dB, 150 MHz a 10 GHz, 1,8 a 4 V, 150 °C, TSLP-7
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBGB707L7ESDE6327XTSA1
Código Farnell4319198
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 7500+ | 0,517 € |
| 22500+ | 0,507 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 7500
Múltiplo: 7500
3.877,50 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBGB707L7ESDE6327XTSA1
Código Farnell4319198
Hoja de datos técnicos
Frecuencia Mínima150MHz
Frecuencia Máxima10GHz
Ganancia27dB
Cifra de Ruido Típico0.4dB
Encapsulado de Circuito RFTSLP
Número de Pines7Pins
Tensión de Alimentación Mín.1.8V
Tensión de Alimentación Máx.4V
Temperatura de Trabajo Mín.-
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Estándar de Certificación para AutomociónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
BGB707L7ESDE6327XTSA1 is a general-purpose LNA MMIC with integrated ESD protection and active biasing. It is a high-performance low-noise amplifier (LNA) MMIC based on Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe: C) bipolar technology. Potential applications are Satellite navigation systems (e.g. GPS, GLONASS, BeiDou, Galileo), Wireless communications: WLAN 2.4GHz and 5-6GHz bands, broadband LTE or WiMAX LNA, ISM applications like RKE and smart meter, as well as for emerging wireless applications such as DVBTerrestrial.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
- Integrated ESD protection: 2kV HBM at all pins
- Supply voltage range from 1.8V to 4V
- Supply current in on-mode is 2.1mA typical at (VCC = 3V, TA = 25°C)
- Minimum noise figure is 0.4dB typical at (IC = 2.1mA, VC = 3V, f = 150MHz)
- Transducer gain is 17dB typical at (IC = 2.1mA, VC = 3V, f = 150MHz)
- Output 1dB gain compression point is 3.5dBm typical at (VC = 3V, f = 150MHz)
- Output 3rd order intercept point is 2dBm typical at (VC = 3V, f = 150MHz)
- Maximum power gain is 31.5dB typical at (IC = 2.1mA, VC = 3V, f = 150MHz)
- TSLP-7 package
Especificaciones técnicas
Frecuencia Mínima
150MHz
Ganancia
27dB
Encapsulado de Circuito RF
TSLP
Tensión de Alimentación Mín.
1.8V
Temperatura de Trabajo Mín.
-
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Frecuencia Máxima
10GHz
Cifra de Ruido Típico
0.4dB
Número de Pines
7Pins
Tensión de Alimentación Máx.
4V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Estándar de Certificación para Automoción
AEC-Q101
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423390
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000012
Trazabilidad del producto