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BFS483H6327XTSA1
Transistor de RF - Bipolar, NPN Doble, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-363
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBFS483H6327XTSA1
Código Farnell2480691
También conocido comoBFS 483 H6327, SP000750464
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,553 € |
| 10+ | 0,394 € |
| 100+ | 0,315 € |
| 500+ | 0,283 € |
| 1000+ | 0,277 € |
| 5000+ | 0,263 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBFS483H6327XTSA1
Código Farnell2480691
También conocido comoBFS 483 H6327, SP000750464
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN Doble
Tensión Colector-Emisor Máx12V
Frecuencia de Transición8GHz
Disipación de Potencia450mW
Corriente de Colector Continua65mA
Encapsulado del TransistorSOT-363
Número de pines6Pins
Mín. ganancia de corriente continua hFE70hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The BFS 483 H6327 is a NPN Silicon RF Transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 to 30mA. It is suitable for use with amplifier and oscillator applications in RF front-end.
- Two (galvanic) internal isolated transistor in one package
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN Doble
Frecuencia de Transición
8GHz
Corriente de Colector Continua
65mA
Número de pines
6Pins
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Colector-Emisor Máx
12V
Disipación de Potencia
450mW
Encapsulado del Transistor
SOT-363
Mín. ganancia de corriente continua hFE
70hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000004
Trazabilidad del producto