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BFR193E6327HTSA1
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBFR193E6327HTSA1
Código Farnell2432737
También conocido comoBFR 193 E6327, SP000011056
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,181 € |
| 50+ | 0,107 € |
| 250+ | 0,084 € |
| 1000+ | 0,0754 € |
| 7500+ | 0,0678 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBFR193E6327HTSA1
Código Farnell2432737
También conocido comoBFR 193 E6327, SP000011056
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN
Tensión Colector-Emisor Máx12V
Frecuencia de Transición8GHz
Disipación de Potencia580mW
Corriente de Colector Continua80mA
Encapsulado del TransistorSOT-23
Número de Pines3Pins
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE70hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The BFR 193 E6327 is a NPN low-noise silicon Bipolar RF Transistor for low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz. The device is suitable for various applications like cellular and cordless phones, DECT, Tuners, FM and RF modems.
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN
Frecuencia de Transición
8GHz
Corriente de Colector Continua
80mA
Número de Pines
3Pins
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Colector-Emisor Máx
12V
Disipación de Potencia
580mW
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE
70hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000145