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BFR181WH6327XTSA1
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBFR181WH6327XTSA1
Código Farnell2617458
También conocido comoBFR 181W H6327, SP000750418
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,114 € |
| 50+ | 0,0753 € |
| 250+ | 0,0581 € |
| 1000+ | 0,0524 € |
| 5000+ | 0,0477 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiplo: 5
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBFR181WH6327XTSA1
Código Farnell2617458
También conocido comoBFR 181W H6327, SP000750418
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN
Tensión Colector-Emisor Máx12V
Frecuencia de Transición8GHz
Disipación de Potencia175mW
Corriente de Colector Continua20mA
Encapsulado del TransistorSOT-323
Número de Pines3Pins
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE100hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Low noise silicon bipolar RF transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5mA to 12mA.
- fT = 8GHz, NFmin = 0.9dB at 900MHz
- Easy to use
- Qualification report according to AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN
Frecuencia de Transición
8GHz
Corriente de Colector Continua
20mA
Número de Pines
3Pins
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Colector-Emisor Máx
12V
Disipación de Potencia
175mW
Encapsulado del Transistor
SOT-323
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE
100hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00001
Trazabilidad del producto