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BFP620H7764XTSA1
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, SOT-343
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBFP620H7764XTSA1
Código Farnell2480671RL
También conocido comoBFP 620 H7764, SP000745302
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,228 € |
| 500+ | 0,217 € |
| 1000+ | 0,208 € |
| 5000+ | 0,188 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBFP620H7764XTSA1
Código Farnell2480671RL
También conocido comoBFP 620 H7764, SP000745302
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN
Tensión Colector-Emisor Máx2.3V
Frecuencia de Transición65GHz
Disipación de Potencia185mW
Corriente de Colector Continua80mA
Encapsulado del TransistorSOT-343
Número de pines4Pins
Mín. ganancia de corriente continua hFE110hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The BFP 620 H7764 is a low-noise Bipolar RF Transistor provides outstanding performance for a wide range of wireless applications. It is designed based on Infineon's reliable high volume silicon germanium technology. The device is ideal for CDMA and WLAN applications.
- High linearity transistor
- Collector design provides high linearity of 14.5dBm OP1dB for low voltage application
- Maximum stable gain
- Outstanding noise figure
- Halogen-free
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN
Frecuencia de Transición
65GHz
Corriente de Colector Continua
80mA
Número de pines
4Pins
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Colector-Emisor Máx
2.3V
Disipación de Potencia
185mW
Encapsulado del Transistor
SOT-343
Mín. ganancia de corriente continua hFE
110hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000048