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AUIRF7316QTR
MOSFET Doble, Canal P, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteAUIRF7316QTR
Código Farnell2725789
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001518472
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
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| 50+ | 2,380 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteAUIRF7316QTR
Código Farnell2725789
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001518472
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N30V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4.9A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4.9A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.042ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.042ohm
Encapsulado del TransistorSOIC
Número de pines8Pins
Disipación de Potencia Canal N2W
Disipación de Potencia Canal P2W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoHEXFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Alternativas para AUIRF7316QTR
Se ha encontrado 1 producto
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4.9A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.042ohm
Número de pines
8Pins
Disipación de Potencia Canal P
2W
Gama de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4.9A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.042ohm
Encapsulado del Transistor
SOIC
Disipación de Potencia Canal N
2W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000074
Trazabilidad del producto