Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteAIMZH120R080M1TXKSA1
Código Farnell4335786
Rango de ProductoCoolSiC Series
También conocido comoAIMZH120R080M1T, SP005586198
Hoja de datos técnicos
30 Productos en Stock
240 Ahora puede reservar el stock
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 10,000 € |
5+ | 8,160 € |
10+ | 6,320 € |
50+ | 5,860 € |
100+ | 5,390 € |
250+ | 5,280 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
10,00 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteAIMZH120R080M1TXKSA1
Código Farnell4335786
Rango de ProductoCoolSiC Series
También conocido comoAIMZH120R080M1T, SP005586198
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id31A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.1ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de pines4Pins
Tensión de Prueba Rds(on)20V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5.1V
Disipación de Potencia169W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoCoolSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
31A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.1ohm
Número de pines
4Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5.1V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
169W
Gama de Producto
CoolSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001
Trazabilidad del producto