Imprimir página
AIMDQ75R040M1HXUMA1
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteAIMDQ75R040M1HXUMA1
Código Farnell4295100
Rango de ProductoCoolSiC Gen I Series
También conocido comoAIMDQ75R040M1H, SP005545099
Hoja de datos técnicos
Opciones de embalaje
440 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 9,600 € |
| 5+ | 8,160 € |
| 10+ | 6,710 € |
| 50+ | 6,120 € |
| 100+ | 5,520 € |
| 250+ | 5,410 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
9,60 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteAIMDQ75R040M1HXUMA1
Código Farnell4295100
Rango de ProductoCoolSiC Gen I Series
También conocido comoAIMDQ75R040M1H, SP005545099
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id47A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)750V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.052ohm
Encapsulado del TransistorHDSOP
Número de pines22Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5.6V
Disipación de Potencia211W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoCoolSiC Gen I Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
47A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.052ohm
Número de pines
22Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5.6V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
750V
Encapsulado del Transistor
HDSOP
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
211W
Gama de Producto
CoolSiC Gen I Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0013
Trazabilidad del producto