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1EDN8511BXUSA1
Controlador MOSFET, Lado Bajo, Suministro 4.5V a 20V, Salida 8A, Retardo 19ns, SOT-23-6
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricante1EDN8511BXUSA1
Código Farnell2986400RL
Rango de ProductoEiceDRIVER 1EDN
También conocido como1EDN8511B, SP001891284
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,472 € |
| 500+ | 0,389 € |
| 1000+ | 0,306 € |
| 2500+ | 0,284 € |
| 5000+ | 0,261 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricante1EDN8511BXUSA1
Código Farnell2986400RL
Rango de ProductoEiceDRIVER 1EDN
También conocido como1EDN8511B, SP001891284
Hoja de datos técnicos
Núm. de Canales1Channels
Tipo de Controlador de PuertaNo Aislado
Configuración del ControladorLado Bajo
Tipo de Interruptor de PotenciaGaN HEMT, IGBT, MOSFET
Número de Pines6Pins
Encapsulado del CISOT-23
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Tipo de EntradaInversión, No Inversión
Corriente de Suministro4A
Corriente de Drenaje8A
Tensión de Alimentación Mín.4.5V
Tensión de Alimentación Máx.20V
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Retardo de Entrada19ns
Retardo de Salida19ns
Gama de ProductoEiceDRIVER 1EDN
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
1EDN8511BXUSA1 is an EiceDRIVER™ gate-driver IC. The pinout meets de facto industry standards. It is made to drive logic and normal-level MOSFETs like OptiMOS™ and CoolMOS™, and GaN HEMT devices. Applications include switch-mode power supplies (SMPS), power factor correction systems, DC-DC power converters, low-voltage drives and power tools, industrial power supply (SMPS, UPS), EV off-board chargers, solar micro-inverters, solar optimizers.
- VVDD supply voltage range from 4.5V to 20V
- VDD quiescent current is 0.4mA typical at (OUT = high, VVDD= 12V)
- 5A reverse current robustness, 4.2V and 8V UVLO options
- Input to output propagation delay is 19ns typical at (CLOAD= 1.8nF, VVDD= 12V)
- Rise time is 6.5ns typical at (CLOAD= 1.8nF, VVDD= 12V)
- Fall time is 4.5ns typical at (CLOAD= 1.8nF, VVDD= 12V)
- 8V/7V UVLO ON/OFF, separated source and sink output configuration
- High level (sourcing) output current is 4A typ, low level (sinking) output current is -8A typ
- Junction temperature range from -40°C to 150°C
- PG-SOT23-6 package
Especificaciones técnicas
Núm. de Canales
1Channels
Configuración del Controlador
Lado Bajo
Número de Pines
6Pins
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Corriente de Suministro
4A
Tensión de Alimentación Mín.
4.5V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Retardo de Entrada
19ns
Gama de Producto
EiceDRIVER 1EDN
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Tipo de Controlador de Puerta
No Aislado
Tipo de Interruptor de Potencia
GaN HEMT, IGBT, MOSFET
Encapsulado del CI
SOT-23
Tipo de Entrada
Inversión, No Inversión
Corriente de Drenaje
8A
Tensión de Alimentación Máx.
20V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Retardo de Salida
19ns
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000061
Trazabilidad del producto