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1EDN7512GXTMA1
Controlador MOSFET, Lado Bajo, Suministro 4.5V a 20V, Salida 8A, Retardo 19ns, WSON-6
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricante1EDN7512GXTMA1
Código Farnell2986399RL
Rango de ProductoEiceDRIVER 1EDN
También conocido como1EDN7512G, SP001491590
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,372 € |
| 500+ | 0,305 € |
| 1000+ | 0,293 € |
| 2500+ | 0,273 € |
| 5000+ | 0,268 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricante1EDN7512GXTMA1
Código Farnell2986399RL
Rango de ProductoEiceDRIVER 1EDN
También conocido como1EDN7512G, SP001491590
Hoja de datos técnicos
Núm. de Canales1Channels
Tipo de Controlador de PuertaNo Aislado
Configuración del ControladorLado Bajo
Tipo de Interruptor de PotenciaGaN HEMT, IGBT, MOSFET
Número de Pines6Pins
Encapsulado del CIWSON
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Tipo de EntradaInversión, No Inversión
Corriente de Suministro4A
Corriente de Drenaje8A
Tensión de Alimentación Mín.4.5V
Tensión de Alimentación Máx.20V
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Retardo de Entrada19ns
Retardo de Salida19ns
Gama de ProductoEiceDRIVER 1EDN
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Núm. de Canales
1Channels
Configuración del Controlador
Lado Bajo
Número de Pines
6Pins
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Corriente de Suministro
4A
Tensión de Alimentación Mín.
4.5V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Retardo de Entrada
19ns
Gama de Producto
EiceDRIVER 1EDN
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tipo de Controlador de Puerta
No Aislado
Tipo de Interruptor de Potencia
GaN HEMT, IGBT, MOSFET
Encapsulado del CI
WSON
Tipo de Entrada
Inversión, No Inversión
Corriente de Drenaje
8A
Tensión de Alimentación Máx.
20V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Retardo de Salida
19ns
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00045
Trazabilidad del producto