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1EDN6550BXTSA1
Controlador de Puerta, 1 Canales, No Aislado, Lado Alto y Lado Bajo
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricante1EDN6550BXTSA1
Código Farnell4335317RL
También conocido comoSP005570665, 1EDN6550B
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,354 € |
| 500+ | 0,315 € |
| 1000+ | 0,304 € |
| 2500+ | 0,292 € |
| 5000+ | 0,280 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricante1EDN6550BXTSA1
Código Farnell4335317RL
También conocido comoSP005570665, 1EDN6550B
Hoja de datos técnicos
Núm. de canales1Channels
Tipo de Controlador de PuertaNo Aislado
Configuración del ControladorLado Alto y Lado Bajo
Tipo de Interruptor de PotenciaGaN HEMT, SJ MOSFET, SiC MOSFET
Número de pines6Pins
Encapsulado del CISOT-23
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Tipo de EntradaInversión, No Inversión
Corriente de Suministro4A
Corriente de Drenaje8A
Tensión de Alimentación Mín.4.5V
Tensión de Alimentación Máx.20V
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Retardo de Entrada45ns
Retardo de Salida45ns
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
1EDN6550BXTSA1 is an EiceDRIVER™ single-channel high-side and low-side gate driver with high-CMR TDI inputs. It has a fully differential input circuitry. The truly differential inputs (TDI) provide excellent common-mode robustness (CMR) and eliminates the risk of false triggering. The small package footprints enable versatile layout in both low-side and high-side driving. It is used in applications such as server, telecom and industrial SMPS, DC-DC converters and bricks, power tools, motor control.
- 4-pin Kelvin-source MOSFETs in boost PFCs, 12.2V 11.5V (UVLO ON/OFF)
- Low-side driving with high PCB parasitic inductance
- High-side driving in switched tank converters
- High and low-side driving in half and full-bridges
- Driving SJ and SiC MOSFETs, GaN HEMTs, switches requiring negative drive voltage
- CMR static is ±200V maximum, CMR dynamic is ±400V maximum
- VDD quiescent current is 1.1mA typical at (OUT = high,VDD = 12V)
- Input-to-output propagation delay turn-on is 45ns typical at (CL = 200pF)
- Sinking output current is -9.4A typical at (VDD = 18V)
- Junction temperature range from -40°C to 150°C, 6-lead SOT23 package
Especificaciones técnicas
Núm. de canales
1Channels
Configuración del Controlador
Lado Alto y Lado Bajo
Número de pines
6Pins
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Corriente de Suministro
4A
Tensión de Alimentación Mín.
4.5V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Retardo de Entrada
45ns
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Controlador de Puerta
No Aislado
Tipo de Interruptor de Potencia
GaN HEMT, SJ MOSFET, SiC MOSFET
Encapsulado del CI
SOT-23
Tipo de Entrada
Inversión, No Inversión
Corriente de Drenaje
8A
Tensión de Alimentación Máx.
20V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Retardo de Salida
45ns
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000638
Trazabilidad del producto