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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 4,430 € |
| 5+ | 4,130 € |
| 10+ | 3,830 € |
| 50+ | 3,440 € |
| 100+ | 3,350 € |
| 250+ | 3,260 € |
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Información del producto
FabricanteGENESIC
Referencia del fabricanteG3R350MT12D
Código Farnell3598642
Rango de ProductoG3R
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id11A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.35ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de Pines3Pins
Tensión de Prueba Rds(on)15V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.69V
Disipación de Potencia74W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoG3R
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
11A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.35ohm
Número de Pines
3Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.69V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
74W
Gama de Producto
G3R
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001393