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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 14,660 € |
5+ | 13,890 € |
10+ | 13,100 € |
50+ | 12,340 € |
100+ | 12,000 € |
250+ | 11,740 € |
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Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteGENESIC
Referencia del fabricanteG3R160MT17J
Código Farnell3598632
Rango de ProductoG3R
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id22A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.7kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.16ohm
Encapsulado del TransistorTO-263 (D2PAK)
Número de pines7Pins
Tensión de Prueba Rds(on)15V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.7V
Disipación de Potencia187W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoG3R
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
22A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.16ohm
Número de pines
7Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.7V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.7kV
Encapsulado del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
187W
Gama de Producto
G3R
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001393