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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 17,810 € |
| 5+ | 16,960 € |
| 10+ | 16,100 € |
| 50+ | 15,460 € |
| 100+ | 15,060 € |
| 250+ | 14,660 € |
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Información del producto
FabricanteGENESIC
Referencia del fabricanteG2R1000MT33J
Código Farnell3598638
Rango de ProductoG2R
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id4A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)3.3kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor1ohm
Encapsulado del TransistorTO-263 (D2PAK)
Número de Pines7Pins
Tensión de Prueba Rds(on)20V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.5V
Disipación de Potencia74W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoG2R
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
4A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
1ohm
Número de Pines
7Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.5V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
3.3kV
Encapsulado del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
74W
Gama de Producto
G2R
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001393