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DIW065SIC015
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 150 A, 650 V, 0.015 ohm, TO-247
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 88,120 € |
| 5+ | 78,510 € |
| 10+ | 68,900 € |
| 50+ | 67,520 € |
| 100+ | 66,140 € |
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Información del producto
FabricanteDIOTEC
Referencia del fabricanteDIW065SIC015
Código Farnell4680843
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id150A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.015ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de pines3Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia550W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
150A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.015ohm
Número de pines
3Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
550W
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00001
Trazabilidad del producto