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DIF120SIC022-AQ
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 215,950 € |
| 5+ | 192,390 € |
| 10+ | 168,830 € |
| 50+ | 165,450 € |
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Información del producto
FabricanteDIOTEC
Referencia del fabricanteDIF120SIC022-AQ
Código Farnell4552613
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id120A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0223ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de pines4Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia340W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
120A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0223ohm
Número de pines
4Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
340W
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.005167