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FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteZXMS6005SGTA
Código Farnell1902501
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 0,943 € |
10+ | 0,780 € |
100+ | 0,552 € |
500+ | 0,463 € |
1000+ | 0,435 € |
5000+ | 0,406 € |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteZXMS6005SGTA
Código Farnell1902501
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id2A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.15ohm
Encapsulado del TransistorSOT-223
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1V
Disipación de Potencia1W
Número de pines4Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The ZXMS6005SGTA is an INTELLIFET™ N-channel self-protected enhancement-mode MOSFET with logic level input. It integrates overtemperature, overcurrent, overvoltage (active clamp) and ESD protected logic level functionality. It is ideal as a general purpose switch driven from 3.3 or 5V microcontrollers in harsh environments where standard MOSFETs are not rugged enough.
- Compact high power dissipation package
- Low input current
- Logic level input
- Short circuit protection with auto restart
- Over voltage protection (active clamp)
- Thermal shutdown with auto restart
- Overcurrent protection
- Input protection (ESD)
- High continuous current rating
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
2A
Encapsulado del Transistor
SOT-223
Tensión de Prueba Rds(on)
5V
Disipación de Potencia
1W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.15ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1V
Número de pines
4Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000102
Trazabilidad del producto