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MMDT5551-7-F
Array de Transistores Bipolares, Doble, NPN Doble, 160 V, 200 mA, 200 mW
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FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteMMDT5551-7-F
Código Farnell1773597
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,353 € |
| 10+ | 0,188 € |
| 100+ | 0,126 € |
| 500+ | 0,0886 € |
| 1000+ | 0,0815 € |
| 5000+ | 0,0552 € |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteMMDT5551-7-F
Código Farnell1773597
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN Doble
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN160V
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP-
Corriente de Colector Continua NPN200mA
Corriente de Colector Continua PNP-
Disipación de Potencia NPN200mW
Disipación de Potencia PNP-
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN80hFE
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP-
Encapsulado del TransistorSOT-363
Número de Pines6Pins
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Frecuencia de Transición NPN300MHz
Frecuencia de Transición PNP-
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
La MMDT5551-7-F es una matriz de transistores bipolares de pequeña señal NPN dobles para montaje superficial que ofrece corriente continua de colector de 200mA y tensión colector-base de 180V. Es ideal para aplicaciones de amplificación y conmutación de potencia media.
- Grado de inflamabilidad UL94V-0
- Construcción de dado planar epitaxial
- Encapsulado de montaje superficial ultracompacto
- Dispositivo ecológico
- El dispositivo PNP complementario es el MMDT5401
- Rango de temperatura de funcionamiento de -55 a 150°C
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN Doble
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP
-
Corriente de Colector Continua PNP
-
Disipación de Potencia PNP
-
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP
-
Número de Pines
6Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Frecuencia de Transición PNP
-
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN
160V
Corriente de Colector Continua NPN
200mA
Disipación de Potencia NPN
200mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN
80hFE
Encapsulado del Transistor
SOT-363
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición NPN
300MHz
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000064
Trazabilidad del producto