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1000+ | 0,280 € |
3000+ | 0,248 € |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteFZT605
Código Farnell4318733
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo120V
Disipación de Potencia Pd2W
Corriente de Colector DC1.5A
Encapsulado del Transistor RFSOT-223
Número de Pines3Pins
Ganancia de Corriente DC hFE5000hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN
Disipación de Potencia Pd
2W
Encapsulado del Transistor RF
SOT-223
Ganancia de Corriente DC hFE
5000hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
120V
Corriente de Colector DC
1.5A
Número de Pines
3Pins
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00012
Trazabilidad del producto