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DMMT5401-7-F
Array de Transistores Bipolares, PNP Doble, 150 V, 200 mA
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FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDMMT5401-7-F
Código Farnell1773583
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,416 € |
| 50+ | 0,264 € |
| 100+ | 0,167 € |
| 500+ | 0,125 € |
| 1500+ | 0,112 € |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDMMT5401-7-F
Código Farnell1773583
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorPNP Doble
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN-
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP150V
Corriente de Colector Continua NPN-
Corriente de Colector Continua PNP200mA
Disipación de Potencia NPN-
Disipación de Potencia PNP300mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN-
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP60hFE
Encapsulado del TransistorSOT-26
Número de Pines6Pins
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Frecuencia de Transición NPN-
Frecuencia de Transición PNP300MHz
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
La DMMT5401-7-F es una matriz de transistores de montaje superficial de pequeña señal PNP ideal para aplicación y conmutación de baja potencia.
- Grado de inflamabilidad UL94V-0
- Construcción de dado planar epitaxial
- Tipo NPN complementario a DMMT5551
- Par PNP intrínsecamente compensado
- Dispositivo ecológico
- Rango de temperatura de funcionamiento de -55 a 150°C
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
PNP Doble
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP
150V
Corriente de Colector Continua PNP
200mA
Disipación de Potencia PNP
300mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP
60hFE
Número de Pines
6Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Frecuencia de Transición PNP
300MHz
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN
-
Corriente de Colector Continua NPN
-
Disipación de Potencia NPN
-
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN
-
Encapsulado del Transistor
SOT-26
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición NPN
-
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000016
Trazabilidad del producto