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FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDMMT3906W-7-F
Código Farnell1773643
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
5+ | 0,476 € |
50+ | 0,305 € |
100+ | 0,196 € |
500+ | 0,145 € |
1500+ | 0,121 € |
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Múltiplo: 5
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDMMT3906W-7-F
Código Farnell1773643
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorPNP Doble
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN-
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP40V
Corriente de Colector Continua NPN-
Corriente de Colector Continua PNP200mA
Disipación de Potencia NPN-
Disipación de Potencia PNP200mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN-
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP100hFE
Encapsulado del TransistorSOT-363
Número de pines6Pins
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Frecuencia de Transición NPN-
Frecuencia de Transición PNP250MHz
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
La DMMT3906W-7-F es una matriz de transistores de pequeña señal con par compensado PNP que ofrece compensación del 2% respecto a ganancia de corriente (hFE) y compensación de 2mV respecto a tensión base-emisor (VBE). Esta matriz de transistores bipolares es adecuada para espejos de corriente, amplificadores diferenciales y de instrumentación y comparadores.
- Grado de inflamabilidad UL94V-0
- Alta corriente de colector
- Totalmente aislado internamente en un encapsulado compacto de montaje superficial
- Dispositivo ecológico sin halógenos
- Rango de temperatura de operación de -65 a 150°C
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
PNP Doble
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP
40V
Corriente de Colector Continua PNP
200mA
Disipación de Potencia PNP
200mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP
100hFE
Número de pines
6Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Frecuencia de Transición PNP
250MHz
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN
-
Corriente de Colector Continua NPN
-
Disipación de Potencia NPN
-
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN
-
Encapsulado del Transistor
SOT-363
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición NPN
-
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000008
Trazabilidad del producto